인텔, 세계 최초 22나노 공정 기반 워킹칩 선보여

최영무 2009-09-23  
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SEOUL, Korea (AVING) -- <Visual News> 인텔은 23일 미국 샌프란시스코에서 열린 인텔 개발자 회의에서 세계 최초로 22나노(nm) 공정 기술 기반의 워킹칩과 실리콘 웨이퍼를 선보였다

22나노 웨이퍼는 3억6천4백만 비트 SRAM 메모리가 내장된 개별 다이로 구성되며 손톱 크기만한 면적에 29억개의 트랜지스터가 들어간다. 0.092제곱마이크론(square microns) 크기의 워킹 회로에서 사용되는 가장 작은 SRAM 셀이 내장되는 디바이스들에는 성능 향상 및 누수 전력 감소를 위해 3세대 하이-k 메탈 게이트 트랜지스터 기술이 적용된다.

인텔 폴 오텔리니(Paul Otellini) 사장은 "인텔에서 무어의 법칙은 계속되고 있다"며 "인텔은 세계 최초로 32나노 마이크로프로세서 생산을 시작했다. 이번 제품은 그래픽과 CPU를 통합시킨 최초의 고성능 프로세서이기도 하다"고 설명하면서 "인텔은 22나노 제조 기술 개발도 진행하고 있으며, 훨씬 더 강력하면서 좋은 성능의 프로세서를 생산하기 위한 기반이 될 워킹칩을 만들었다"고 밝혔다.

Global News Network 'AVING'

 

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