인텔 스트라타플래시® 셀룰러 메모리 M18 출시

최영무 2005-11-17  
메일보내기 인쇄하기
AVING 뉴스레터 신청하기

SEOUL, Korea (AVING) -- <Visual News> 인텔 코리아(대표 이희성, www.intel.com/kr)는 업계 최초로 90나노미터(nm) 기술 기반의 멀티 레벨 셀(MLC) 노어(NOR) 플래시 메모리를 출시한다고 발표했다.

새로운 인텔 스트라타플래시® 셀룰러 메모리(Intel StrataFlash® Cellular Memory) M18은 카메라, 컬러 스크린, 웹 브라우징 및 비디오 기능 등 다기능의 휴대 전화기에 대한 증가된 요구를 충족시킬 수 있도록 이전의 130나노미터 버전보다 빨라진 기능, 높아진 밀도, 줄어든 전력 소모량을 실현한다.

인텔 코리아 이희성 사장은 “플래시 메모리는 차세대 휴대 전화 애플리케이션 구현을 위한 주요 기술 중 하나”라며, “M18은 오늘날의 휴대 전화기에 필요한 성능, 밀도 및 저전력을 독특하게 조합하여 휴대기기 개발자들에게 제공한다. 또한, M18은 신뢰성 높고 비용 효과적인 인텔의 5세대 MLC 기술 및 90nm 프로세스 리소그래피(lithography)를 기반으로 한다”라고 말했다.

M18은 업계에서 가장 빠른 읽기 속도를 제공함으로써 차세대 셀룰러 칩셋과 동일한 버스 주파수(최대 133MHz)에서 새로운 플래시 메모리가 운영될 수 있게 해준다. 이로 인해 칩셋과 메모리 실행 간의 상호작용이 130나노 버전에 비해 향상되어, 사용자 애플리케이션 실행 속도를 빠르게 해 준다.

최대 0.5MB/초의 쓰기 속도를 가진 M18은 3MP(메가 픽셀) 카메라와 MPEG4 비디오를 지원한다. 반도체 공장의 프로그래밍 속도가 이전 130나노 버전보다 최대 세 배 이상 빨라진 결과로 OEM들은 생산 비용 감축의 혜택을 받는다. M18은 이전 세대 제품에 비해 프로그램 작성에는 삼분의 일, 삭제에는 반 정도의 에너지만을 소비하며, 새로운 딥 파워 다운(Deep Power Down) 운영 모드를 제공하는 등 배터리 수명을 향상시킨다.

256Mb 및 512Mb의 단일 칩 솔루션과 최대 1Gb의 표준 스택(stacked) 패키지 솔루션과 함께 M18은 노어 플래시 밀도 범위를 증가시킨다. 인텔의 업계 선도적인 표준 스택은 다중 버스 구조 안에 노어(NOR)와 램(RAM)을 결합하고, OEM 제품의 시장 출시 시기를 앞당기며, 공급망의 유연성을 향상시킨다.

인텔은 고객들이 통합 시간을 단축하고, 성능을 향상시키며 레퍼런스 디자인 플랫폼을 최적화하는 데 도움을 주기 위해 셀룰러 에코시스템 전반과 협력하고 있다. 인텔은 심비안(Symbian) 및 몬타비스타(MontaVista)와 같은 OS와 ADI, 필립스, 인피니온(Infineon), 미디아텍(MediaTek)과 같은 회사들의 셀룰러 칩셋이 90나노 기반 M18를 적용할 수 있도록 함께 협력하고 있다. 소니 에릭슨의 피터 칼슨(Peter Carlsson) 부사장은 “인텔 스트라타플래시 셀룰러 메모리(M18)의 성능, 고밀도 및 우수한 가치는 소니 에릭슨의 다기능 전화기에 매우 적합하다.”라고 말했다.

한편, 인텔은 개발자들이 새로운 단말기의 통합 및 구현 속도를 증가시키는 데 도움을 주기 위해 로열티를 지불할 필요가 없는 소프트웨어인 차 세대 인텔 플래시 데이터 통합기(Flash Data Integrator - FDI)를 제공하고 있다. 인텔 FDI v.7.1은 플래시 파일 시스템의 간편한 통합을 위한 개방형 아키텍처와 함께 실 시간 운영 체제와 장착 가능한 USB, 다량의 지원 및 RAM 버퍼 지원 등 세가지 최신 기능을 제공한다.

Global News Network 'AVING'

 

기사