인텔-ST마이크로일렉트로닉스, 휴대폰 제조 비용 낮추는 공통 메모리 서브시스템 발표

최영무 2005-12-06  
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SEOUL, Korea (AVING) -- <Visual News> ST 마이크로일렉트로닉스와 인텔은 오늘 휴대폰 단말기 제조업자들이 개발 비용을 절감하면서 다 기능 제품을 보다 빠르게 시장에 선보일 수 있도록 하기 위한 공통 플래시 메모리 서브시스템을 발표했다.

휴대폰 메모리 설계를 단순화하기 위해 양사는 공동 설계에 기반한 호환가능 하드웨어 및 소프트웨어 메모리 제품을 제공하게 된다. 따라서, 휴대폰 제조업체들은 개발 시간의 단축 및 생산 비용 절감을 통해 저렴하게 양사의 차세대 노어 플래시제품으로 신속히 이행 할 수 있게 되었다.

노어 플래시는 대용량 휴대폰 시장에 가장 적합한 주류 메모리 기술이다. 산업 조사 기관 아이서플라이(iSuppli)에 따르면, 휴대폰에 탑재되는 플래시 메모리의 92.8%를 노어 플래시 메모리가 점유하고 있으며, 인텔과 ST는 현재 휴대폰에 들어가는 노어 플래시 메모리를 40% 이상을 공급하고 있다.

노어 플래시 제품을 주도하는 “2차 소스” 및 서브시스템을 만들기 위한 이러한 움직임은 ST와 인텔이 공동 사양을 위해 최초로 협력했다는 데 그 의의가 있다. 공동 사양에 기반한 첫 번째 멀티-레벨 셀 노어 제품은 업계를 선도하는 90나노 공정으로 설계 및 제조된512 Mbit 디바이스이고 현재 인텔과 ST, 두 회사 모두 공급 가능하다. 공통 서브시스템 사양은 65나노 MLC 노어 기술로 확대되어 1기가비트 의 MLC 노어 싱글 칩 제품에 주력하게 된다.

Global News Network 'AVING'

 

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